Контроль нових технологій у твердотільній НВЧ електроніці

У книзі представлено узагальнення накопиченого досвіду щодо створення методів вхідного та технологічного контролю при розробці та виробництві НВЧ транзисторів на основі широкозонних матеріалів, зокрема транзисторів на гетероструктурах типу AIGaN/GaN. Розглянуто системи вітчизняних та зарубіжних стандартів, на основі яких проводяться розробки НВЧ транзисторів. Докладно описано фізичні основи гетероструктур, описано властивості широкозонних напівпровідників, методи виготовлення НВЧ транзисторів. Детально аналізується технологія виробництва транзисторів з урахуванням досвіду їх реального виготовлення. Розглянуто електричні, оптичні, рентгенівські, електронно-мікроскопічні та аналітичні методи, що застосовуються при вхідному та технологічному методах контролю. Розглянуто досвід створення у ВАТ «НВП „Пульсар“ НВЧ транзисторів та НВЧ блоків на їх основі. Книга буде корисна фахівцям у галузі електроніки, дослідникам, інженерам-практикам та розробникам радіоелектронної апаратури.